モバイル機器用高密度オンチップメモリーSESO
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概要
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携帯機器の高機能化に伴い、低消費電力、大容量のオンチップメモリーが求められている。本論文では低待機電力と高集積を両立できるメモリーとして、3トランジスタ構成のダイナミックメモリであるSESOメモリーを提案する。極薄チャネルのポリシリコンTFT SESOにより1aAの超低リーク電流を実現し、10秒程度の保持時間を可能とする。ロジック混載が容易でセル面積はSRAMの1/3程度である。SESOトランジスタの試作結果を示し、これを利用した3トランジスタ構成メモリセルの特性を解析する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-12
著者
-
矢野 和男
日立
-
矢野 和男
(株)日立製作所中央研究所
-
矢野 和男
早大理工
-
長部 太郎
(株)日立製作所 中央研究所
-
石井 智之
日立
-
矢野 和男
日立製作所中央研究所
-
Atwood Bryan
日立製作所 中央研究所
-
石井 智之
日立製作所 中央研究所
-
長部 太郎
日立製作所 中央研究所
-
峰 利之
日立製作所 中央研究所
-
村井 二三夫
日立製作所 中央研究所
-
石井 智之
(株)日立製作所中央研究所
-
峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
-
矢野 和男
日立製作所基礎研究所
-
石井 智之
日立製作所中央研究所
-
石井 智之
神奈川工科大学情報学部
-
峰 利之
日立製作所中央研究所
-
矢野 和男
?日立製作所中央研究所
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