128Mbit単一電子メモリ
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概要
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大規模集積時のデバイス、回路技術の基礎技術開発を目的として128Mbit単一電子メモリチップを試作した。メモリセルは多結晶シリコンベースの単一電子メモリの構造自由度を利用し、ビット当たり2F^2の小面積である。素子間の特性ばらつきに対する動作の安定性を確保するため、メモリセルリファレンスによる書き込み、読み出しやベリファイ書き込みの周辺回路を用意した。試作結果では歩留まりは悪かったものの基本動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-04-23
著者
-
矢野 和男
早大理工
-
矢野 和男
日立中研
-
関 浩一
日立製作所中央研究所
-
村井 二三夫
日立製作所 中央研究所
-
石井 智之
(株)日立製作所中央研究所
-
峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
-
久禮 得男
日立製作所中央研究所
-
久禮 得男
日立中研
-
佐野 聡明
日立デバイス
-
石井 智之
日立中研
-
峰 利之
日立中研
-
村井 二三夫
日立中研
-
関 浩一
日立中研
-
峰 利之
日立製作所中央研究所
-
矢野 和男
?日立製作所中央研究所
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