低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
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概要
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次世代の不揮発性メモリとして最も有望な相変化メモリを安価なポリシリコンダイオードと組合せたメモリセルの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8MA/cm^2以上と大きく、逆バイアスオフ電流が100A/cm^2以下と小さいポリシリコンダイオードを開発し、クロスポイント型相変化メモリのセル面積を4F^2(F:デザインルール)に縮小する見通しを得た。本技術により、相変化メモリチップの低コスト化が可能となる。
- 2009-10-08
著者
-
笹子 佳孝
(株)日立製作所 中央研究所
-
笹子 佳孝
日立製作所中央研究所
-
峰 利之
日立製作所 中央研究所
-
峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
-
木下 勝治
日立製作所中央研究所
-
森川 貴博
日立製作所中央研究所
-
黒土 健三
日立製作所中央研究所
-
半澤 悟
日立製作所中央研究所
-
島 明生
日立製作所中央研究所
-
藤崎 芳久
日立製作所中央研究所
-
守谷 浩志
日立製作所機械研究所
-
高浦 則克
日立製作所中央研究所
-
鳥居 和功
日立製作所中央研究所
-
鳥居 和功
日立・中研
-
峰 利之
日立製作所中央研究所
-
島 明生
日立製作所デバイス開発センタ
-
鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
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