ダメージフリーのSi基板直接窒化技術を用いた極薄ゲート絶縁膜の形成 (特集 新材料・新プロセスによる半導体薄膜形成技術--銅配線,Low-k,High-k,CMPの最新動向を探る)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 工業調査会の論文

著者

• 藤崎 芳久

  日立製作所中央研究所

• 石原 宏

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

関連論文

• 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
• 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
• 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 一括加工による強誘電体キャパシタの形成とその特性
• 強誘電体を用いたニューロン素子とその結合システム
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• FET型強誘電体メモリの現状
• 不揮発性半導体メモリー技術の現状
• MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
• MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
• ULSI用MOCVD-PZT薄膜の形成と電気特性
• 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ(新型不揮発性メモリ)
• 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ
• (Bi,Nd)_4Ti_3O_/HfO_2/Si(100)構造の作製と評価(新型不揮発性メモリー)
• 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
• プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
• 湿式と乾式,どっち? (〔表面技術協会〕50周年記念増刊号 夢を語る) -- (エレクトロニクス)
• 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構(新型不揮発性メモリ)
• 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構
• 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• 減圧仮焼成プロセスを用いたBLT強誘電体薄膜の大幅特性向上(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
• MFIS用Al_2O_3/Si_3N_4バッファー層
• ダメージフリーのSi基板直接窒化技術を用いた極薄ゲート絶縁膜の形成 (特集 新材料・新プロセスによる半導体薄膜形成技術--銅配線,Low-k,High-k,CMPの最新動向を探る)
• 原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術
• ゾルゲル法による(Bi,La)_4Ti_3O_薄膜の作製とMFMIS構造への応用
• SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
• SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
• MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
• MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
• ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリクスのSOI基板上への作製
• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
• 強誘電体ゲートFETの作製とニューロン回路への応用
• 強誘電体薄膜の半導体基板上への形成とニューロデバイスへの応用
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
• 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
• 強誘電体を用いた適応学習型ニューロデバイスの提案と薄膜の基礎特性
• 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク