FET型強誘電体メモリの現状
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概要
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本発表は、FET型強誘電体メモリの現状について述べている。まず、このメモリを実用化するためには、データ保持特性の改善が最も重要なことを示し、次いでSi_3N_4をバッファ層に、(Bi, La)_4Ti_3O_<12>を強誘電体膜に用いたMFIS型FETに関する最近の研究成果を概観している。最後に、1T2C型強誘電体メモリの特徴と基本動作原理とを示すと共に、蓄積データの非破壊読み出しが可能なこと、通常の強誘電体ゲートFETに比べてデータ保持時間が極めて長いことなどを実験的に明らかにしている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-29
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