減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構(新型不揮発性メモリ)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
膜厚80nmのBi_<3.45>La_<0.75>Ti_3O_<12>(BLT)をゾルゲル法で形成する際、減圧酸素雰囲気中での仮焼成を行う事で強誘電特性が大きく向上する事を見いだした。この減圧仮焼成は原料塗布後の低温での乾燥後、乾燥結晶化前に100%酸素雰囲気中で行う。最大残留分極値(Pr)は1.3kPaの減圧酸素雰囲気中での仮焼成により作製した試料で得られ27.2μC/cm^2で、抗電界は54.3kV/cmであった。このPr値は従来の1気圧酸素雰囲気中での仮焼成で作製した試料の残留分極値に比べ約2.3倍である。ヒステリシス曲線の飽和特性も良好で、+/-1.2Vでほぼ飽和する。この強誘電特性の大幅な向上機構を調べるため、主に乾燥ゲル構造の結晶学的解析を行った。その結果、現活雰囲気下で形成されたゲルの多孔質構造が特性向上に影響を及ぼしている事が明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-04
著者
関連論文
- Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structures based on poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (シリコン材料・デバイス)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
- 人材育成
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 一括加工による強誘電体キャパシタの形成とその特性
- 強誘電体を用いたニューロン素子とその結合システム
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 応用物理教育分科会に期待するもの
- 強誘電体メモリ技術
- 学会活動の充実に向けて
- トランジスタ型強誘電体メモリーの現状と展望
- 国立大学の法人化と「もの作り」研究室への期待
- トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望
- トランジスタ型強誘電体メモリ開発の現状と将来展望
- 3次元IC技術の現状
- 導電性・絶縁性材料と半導体とのヘテロエピタキシャル成長
- 次世代強誘電体メモリの研究開発
- 1T2C型強誘電体メモリにおけるデータディスターブの解析と低減法の提案(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 不揮発性強誘電体ラッチ回路の新構成法と低電圧動作解析
- 1T2C型強誘電体メモリの作製及び評価
- C-12-36 1T2C型強誘電体メモリの周辺回路の設計
- FET型強誘電体メモリの現状
- FET型強誘電体メモリの現状
- C-12-33 強誘電体キャパシタシミュレーション支援LSIの設計
- 高誘電率/強誘電体ゲート絶縁膜の可能性
- 強誘電体ゲートトランジスタの動作原理と開発動向
- 不揮発性半導体メモリー技術の現状
- MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
- MBE法による強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長
- ULSI用MOCVD-PZT薄膜の形成と電気特性
- 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ(新型不揮発性メモリ)
- 金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ
- (Bi,Nd)_4Ti_3O_/HfO_2/Si(100)構造の作製と評価(新型不揮発性メモリー)
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- MOSトランジスタの動作原理
- 強誘電体ゲートFETの現状と問題点
- 高誘電体・強誘電体薄膜のメモリデバイスへの応用
- 息の長い研究
- 強誘電体薄膜のニューロデバイスへの応用
- どこまで速くなるか? トランジスタの動作速度
- FET型強誘電体メモリの現状
- 巻頭言 : "会長退任にあたって"
- 湿式と乾式,どっち? (〔表面技術協会〕50周年記念増刊号 夢を語る) -- (エレクトロニクス)
- 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構(新型不揮発性メモリ)
- 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 減圧仮焼成プロセスを用いたBLT強誘電体薄膜の大幅特性向上(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- MFIS用Al_2O_3/Si_3N_4バッファー層
- ダメージフリーのSi基板直接窒化技術を用いた極薄ゲート絶縁膜の形成 (特集 新材料・新プロセスによる半導体薄膜形成技術--銅配線,Low-k,High-k,CMPの最新動向を探る)
- 原子状窒素を用いたSi基板のダメージフリー低温窒化技術
- ゾルゲル法による(Bi,La)_4Ti_3O_薄膜の作製とMFMIS構造への応用
- SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
- SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
- MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
- MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリクスのSOI基板上への作製
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- 強誘電体ゲートFETの作製とニューロン回路への応用
- 強誘電体薄膜の半導体基板上への形成とニューロデバイスへの応用
- ビ-ムアニ-リング (半導体ビ-ムプロセス技術)
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価
- アジア太平洋物理学会連合(AAPPS)定期総会(OGM)及び新理事会参加報告
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- 強誘電体を用いた適応学習型ニューロデバイスの提案と薄膜の基礎特性
- 応用物理系英文ジャーナルの話題
- 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)