(Bi,Nd)_4Ti_3O_<12>/HfO_2/Si(100)構造の作製と評価(新型不揮発性メモリー)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
近年、MFIS構造を用いたトランジスタ型FeRAMの研究が盛んに行われている。(Bi,Nd)_4Ti_3O_<12>(BNT)は大きな抗電界を持つ強誘電体であり、HfO_2は高誘電率のゲート絶縁膜として知られている。本研究では、MFIS構造のF層としてBNTを、1層としてHfO_2を用いダイオード、及びトランジスタを作製し、保持特性を評価した。その結果、MFIS構造ダイオードにおいて、5日間のデータ保持を確認した。またMFIS構造トランジスタにおいては、短時間ではあるが約2桁のon-off比を保持することができた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-03-10

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク