研磨砥粒が研磨速度と洗浄性に与える影響
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概要
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配線の多層化において最も重要なのが段差の除去であり、これを解決する手段としてCMP技術の適用が検討されている。現在、酸化膜の研磨において主に使用されている市販研磨剤SはKOHベースの研磨剤のためK汚染の恐れがあり、更に研磨後のウェハ洗浄において残留するパーティクルの数はバルクプロセスの値よりも遥かに多い。そこでKOHフリーで洗浄性の良い研磨剤を開発するために、研磨砥粒が酸化膜研磨において研磨速度と洗浄性に与える影響を調査した。実験は熱酸化膜を研磨することで研磨速度及び洗浄性の評価を行った。研磨砥粒による傷の発生を抑えパーティクル数の測定を正確にするため、研磨圧力は164g/cm^2と標準研磨圧力の1/2程度で行なった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
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中村 亘
富士通株式会社
-
中村 亘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
-
有本 由弘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
-
有本 由弘
富士通研
-
中村 亘
富士通
-
KISHII Sadahiro
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
岸井 貞浩
(株)富士通研究所
-
Kishii Sadahiro
Device Integration Technology Laboratories, Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan
-
有本 由弘
(株)富士通研究所
-
岸井 貞浩
(株) 富士通研究所
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