低電圧用センスアンプによるFeRAMの開発(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
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概要
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FeRAMのセルキャパシタに用いられている強誘電体材料は、印加する電圧で読み出される電荷量は非線形である。FeRAMを低電圧動作させるために、低電圧においても強誘電体セルキャパシタに十分な電圧印加が行えるFeRAMのセンスアンプを開発した。開発した低電圧用センスアンプを用いて、256Kbit FeRAM を試作した。その結果1008Hの高温放置後でもリテンションの劣化に強く、10^<12>回のファテーグストレスにも影響がないことを確認した。また電源電圧Lowマージンについても1008Hの高温放置によって+0.1Vのみの減少に収まった。これらの強誘電体の開発過程でセル分布による評価を行って、効果を実証したことを報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-11
著者
-
伊藤 昭男
富士通研究所
-
伊藤 昭男
富士通 株式会社
-
遠藤 徹
富士通株式会社
-
川嶋 将一郎
富士通株式会社
-
恵下 隆
富士通 株式会社
-
中村 亘
富士通株式会社
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伊藤 昭男
富士通株式会社
-
渡邉 純一
富士通株式会社
-
堀井 義正
富士通株式会社
-
恵下 隆
富士通株式会社
-
堀井 義正
富士通 株式会社
-
中村 亘
富士通
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