SBTの電気的特性における下地電極の影響
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概要
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MOD (metal organic decomposition)法および溶液気化CVD (chemical vapor depotition)法で成膜したSBT (SrBi_2Ta_2O_9)の電気的特性の下地電極による違いについて調べた。MODで成膜したSBTでは、従来のPt/Ti下地電極を用いた試料に比較して、Pt/TiO_2下地電極を用いた試料の残留分極特性がPt/Tiを用いたものより優れることがわかった。これはPt/TiではTiがSBT中へ拡散してSBTの特性を劣化させているためと考えられる。また、Ir系の下地電極においてもPt/TiO_2と同程度の電流電圧特性、残留分極特性が得られることがわかった。CVDを用いたSBTでは、従来Pt下地電極を用いた場合、電極界面付近においてBiの欠損が生じた。IrO_2下地電極を用いたることにより、このBi欠損が抑制できることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-15
著者
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恵下 隆
(株)富士通研究所fプロジェクト部
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恵下 隆
(株)富士通研究所
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中村 亘
富士通株式会社
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山脇 秀樹
富士通株式会社
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中村 亘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
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山脇 秀樹
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
-
宮垣 真治
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
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有本 由弘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
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有本 由弘
(株)富士通研空所fプロジェクト部
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宮垣 真治
富士通研究所
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中村 亘
富士通
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有本 由弘
(株)富士通研究所
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