酸化膜CMPにおけるウエハ温度のin situモニタリング
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概要
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酸化膜CMP(Chemical Mechanical Polishing)において研磨中のウエハ温度をin situ測定した.研磨定盤,研磨剤ともに8℃に冷却して研磨を行うと,ウエハ温度は10-20℃に上昇する.ウエハに温度分布が存在すると研磨量の均一性に影響を与えた.また,ウエハ温度は加工圧力に比例して上昇し,研磨速度も増加した.加工圧力が高いと,研磨剤とウエハ表面との反応が促進され,ウエハ温度が上昇すると考えられる.硬度の異なる研磨パッドで研磨を行ったところ,ウエハ温度と研磨速度がよい直線関係にあり,ウエハ温度が5℃異なると研磨速度は2倍変化することが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-08-18
著者
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
-
有本 由弘
富士通研
-
伊藤 隆司
富士通研究所
-
杉本 文利
富士通株式会社
-
伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
有本 由弘
富士通研究所
-
鉾 宏真
富士通研究所ulsiプロセス研究部
-
杉本 文利
富士通研究所ULSIプロセス研究部
-
有本 由弘
(株)富士通研究所
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