機械的歪み印加によるSrTiO_3MIMキャパシタ誘電率変調(プロセス科学と新プロセス技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ペロブスカイト酸化物誘電体薄膜における歪印加効果について報告する。ペロブスカイト高誘電率薄膜において、不純物添加起因の歪みによる誘電特性変化が報告されている。本研究では、ペロブスカイト高誘電率薄膜の誘電特性の歪み依存性を調べるために、MOCVD成膜SrTiO_3薄膜を用いたMIMキャパシタに機械的一軸性歪を印加・誘電特性を測定し、引張応力印加による誘電率増大を実験的に示した。またこの結果を微視的誘電体モデルに対応させ、歪印加によりイオン振動の減衰係数が低減していることを理論的に示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-09-27
著者
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
黒木 伸一郎
東北大学大学院工学研究科
-
森田 瑞穂
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
伊藤 隆司
(株)富士通研究所
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科
-
伊藤 隆司
富士通研究所
-
黒木 伸一郎
東北大学工学研究科電子工学専攻
-
伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
伊藤 隆司
東京工大 ソリューション研究機構
関連論文
- ノンポーラスULK層間膜(フロロカーボン)へのダメージを抑制したCu-CMP後洗浄液の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ (集積回路)
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ (電子部品・材料)
- 水酸基終端シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 1/200の圧縮率を実現する演算の省略機能を備えた適応解像度ベクトル量子化プロセッサ
- 3a-C4-7 Impurity effects of the SiO_2-Si(100)interface studied by Angle-Resolved UPS
- 高精度CMP終点検出方法の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 数値制御プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- フッ素固定式パーフルオロ化合物(PFCs)除害システム
- 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューティング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューテイング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- 4a-T-1 熱エネルギーミュオニウム放出における表面効果II
- リアルタイムオブジェクト分離を行う高機能CMOSイメージセンサ
- リアルタイムオブジェクト分離を行なう高機能CMOSイメージセンサ
- レーザ光散乱法によるSiウエハ表面上の極薄酸化膜段差の計測
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の原子像観察
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- 塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス : 高選択,ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
- 塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス : 高選択、ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング
- ドライ洗浄技術 : 半導体製造(生活の基本,そして製造・生産に必須の技術 : 洗う技術)
- UV/Cl_2ドライクリーニングメカニズム : 表面Fe汚染除去におけるSiCl_4の効果
- 29p-BPS-32 純水中で形成されるSi(111):SiH表面
- UHF帯RFID向け高効率差動型整流回路(RFID技術,システムオンシリコン,RFID技術及び一般)
- エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化(プロセス科学と新プロセス技術)
- C-10-24 微細n型SOI-MESFETの電流電圧特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-12-14 インバータアンプによる電荷積分回路を用いたFeRAMの読み出し安定化(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-49 ラダーモデルによるガラス基板上インダクタの高精度モデリング(C-12.集積回路,一般セッション)
- 機械的歪み印加によるSrTiO_3MIMキャパシタ誘電率変調(プロセス科学と新プロセス技術)
- B-20-11 UHF帯RFID向け高効率差動型整流回路(B-20.ユビキタス・センサネットワーク,一般講演)
- RF-ID向けDickson Charge Pump整流回路における接合容量効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- RF-ID向けDickson Charge Pump整流回路における接合容量効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- RF-ID向け Dickson Charge Pump 整流回路における接合容量効果
- 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2005)
- 数値制御プラズマ CVM(Chemical Vaporization Machining) によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- モノメチルシラン(SiH_3CH_3)を用いた熱CVDによるシリコンカーバイド膜の作製
- 大気圧プラズマCVDによる高速形成したa-SiC薄膜の光学的特性
- SOI基板材料の品質評価と技術課題
- 方向安定化レーザービームを直線基準とした高精度形状測定
- MD/FEMハイブリッドモデルによる微小切削機構の解析
- ゲート電極材料のスパッタリング成膜時におけるゲート酸化膜へのダメージの評価
- ウルトラクリーン低温プロセスを用いた高信頼性タンタルゲート完全空乏化SOI MOSFET
- 文部省・COE「大阪大学・超精密加工研究拠点」の形成--ウルトラクリ-ンル-ム完成
- コールドサセプタを用いた高速選択タングステンCVDプロセス
- ウルトラクリーン酸化で形成した極薄ゲート酸化膜のホットキャリア耐性
- ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化(プロセス科学と新プロセス技術)
- 連続波レーザーによる強誘電体PZT薄膜の結晶化,AWAD2006)
- 連続波レーザーによる強誘電体PZT薄膜の結晶化
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ(デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地)
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ(デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地)
- 高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- 分離度フィルタとVQヒストグラム法によるカラー画像から目の検出(テーマセッション, 顔・ジェスチャーの認識・理解)
- 次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線の形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- 連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- 3116 人間の手助けとなる機能を有するロボット IRIS の開発
- Si(110)面を用いた低雑音バランスドCMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューティング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- 動的再構成ALUを搭載した画像認識プロセッサ : 高速フーリエ変換・逆変換に適した再構成コンピューティング(プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- 連想するハードウェアをべースとした"しなやかな"知的電子システム
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善,AWAD2006)
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長,AWAD2006)
- 光刺激脱離によるSi上の酸化物の低温除去とSiホモエピタキシー
- 熱酸化シリコンの照射損傷による構造変化
- PELOC : 動的再構成FPGA用自動配置配線ツール : フレキシブルプロセッサへの応用(設計手法とシステムソフトウェア)
- 列並列演算器を備えたリアルタイムオブジェクト抽出を行なう高機能高画質CMOSイメージセンサ
- 画像圧縮用ベクトル量子化プロセッサ
- ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
- ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
- ベクトル量子化を用いた静止画像高画質高圧縮システム
- 差分量子化によるヒストグラム特徴を用いた映像の高速探索(画像信号処理及び一般)
- VQ-SIFTを用いた物体認識ためのロバストな局所画像記述子(画像信号処理及び一般)
- 差分量子化によるヒストグラム特徴を用いた映像の高速探索(画像信号処理及び一般)
- VQ-SIFTを用いた物体認識ためのロバストな局所画像記述子(画像信号処理及び一般)
- 隣接画素差分量子化による顔認識(テーマセッション, 顔・ジェスチャーの認識・理解)
- pH制御選択研磨による超薄膜SOI基板の作製
- 高品質画像実時間伝送を実現する誤差判定適応解像度ベクトル量子化技術
- フレキシブルプロセッサ : パーソナルユースHWエミュレータ向け動的再構成可能ロジックアレイ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- フレキシブルプロセッサ : パーソナルユースHWエミュレータ向け動的再構成可能ロジックアレイ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 適応解像度ベクトル量子化技術におけるコードブックの理論的作成手法
- 動的再構成LSI向け省回路構成情報量細粒度プログラマブル論理素子に関する研究 : フレキシブルプロセッサ用プログラマブル論理素子(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 動的再構成FPGAに適したプログラマブルロジックエレメントの開発
- 動的再構成FPGAに適したプログラマブルロジックエレメントの開発
- 動的再構成FPGAに適したプログラマブルロジックエレメントの開発(FPGAとその応用及び一般)
- テクノロジー 画像ノイズを抑制する適応解像度ベクトル量子化技術
- 5-8 線ベクトル量子化によるHMMの顔認識の適用
- 知能集積回路 : 瞬時応答を可能にするビットフロー型データフローパスミニマムプロセッサ
- 知能集積回路 : 瞬時応答を可能にするビットフロー型データフローパスミニマムプロセッサ
- SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性(プロセス科学と新プロセス技術)
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善
- クロック制御による高信頼性ニューロンMOS論理回路
- 自動しきい値調整機能を用いたクロック制御ニューロンMOS論理回路
- 酸化膜CMPにおけるウエハ温度のin situモニタリング
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長
- C-12-10 Abobe CMOSインダクタのための差分モデリング(C-12.集積回路,一般セッション)
- ホットウォール法によるc軸配向したInSe薄膜の作製
- ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)