エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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CWレーザアニールはガラス基板上でグレインサイズ20×2μm^2の大粒径poly-Si薄膜を得ることができ、TFTの高性能化に有効である。しかし、この結晶化によりSi薄膜表面に数十nmの凹凸が形成される。これを平坦化するために、化学的機械的平坦化を検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-02
著者
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
沼田 雅之
東北大学大学院工学研究科
-
黒木 伸一郎
東北大学大学院工学研究科
-
藤井 俊太朗
東北大学大学院工学研究科
-
森田 瑞穂
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
伊藤 隆司
(株)富士通研究所
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科
-
伊藤 隆司
富士通研究所
-
黒木 伸一郎
東北大学工学研究科電子工学専攻
-
伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
伊藤 隆司
東京工大 ソリューション研究機構
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