高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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石英基板上にレーザ結晶化により3軸配向性の高いPoly-Si薄膜を形成した。連続発振レーザを用い、ビームスポットを、直線状ビームを2本並べたダブルラインビームとすることで、結晶化時の過冷却温度を比較的均一に保つことで選択的に特定の結晶粒の結晶成長を行うことができた。得られた結晶薄膜は、ラテラル結晶化面に{110}、面内でこれに垂直な面に{111}、表面方向に{211}の面方位を有している。またシリコン結晶グレインは大粒径化し、長軸方向に100μm以上、短軸方向の平均長さ0.7μmの大きさをもつ1次元状結晶グレインが得られた。
- 2010-10-14
著者
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
黒木 伸一郎
東北大学大学院工学研究科
-
藤井 俊太朗
東北大学大学院工学研究科
-
森田 瑞穂
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
伊藤 隆司
(株)富士通研究所
-
川崎 雄也
東北大学大学院工学研究科
-
伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科
-
伊藤 隆司
富士通研究所
-
黒木 伸一郎
東北大学工学研究科電子工学専攻
-
伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
伊藤 隆司
東京工大 ソリューション研究機構
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