クロック制御による高信頼性ニューロンMOS論理回路
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概要
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νMOS論理回路において、新しくクロック制御を用いフローティングゲートにスイッチをつけることにより、ホットエレクトロン等で生じた剰余電荷を逃がすだけでなくインバータの反転閾値の変動を自動的にキャンセルし、高精度の論理演算を実現した。さらに、フローティングゲートレベルでの引き算の機能が加わった。また、センスアンプを応用することにより低消費電力の回路が実現されることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-28
著者
-
今井 誠
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
大見 忠弘
東北大学工学部
-
柴田 直
東北大学工学部
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
小谷 光司
東北大学工学研究科
-
今井 誠
東北大学工学部電子工学科
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