ニューロンMOSウィナー・テーク・オール回路とその連想メモリへの応用

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概要

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単体トランジスタで脳細胞ニューロンと類似の働きをする新しい機能デバイス、ニューロンMOSトランジスタ(νMOSと略称)を用いると、最大値検索を行うウィナー・テーク・オール回路が簡単に構成できる。νMOSの「可変しきい値」という特性を利用し、比較すべきデータ信号により各νMOSインバータのしきい値を決めておく。全インバータに共通のランプ電圧を入力すると最大値入力のインバータが最初に反転することから、最大値を特定するのである。この原理を応用すると、提示データに対し、「最も似かよった」データをハードウェアがトランジスタレベルの完全並列処理によって自動検索・出力してくれる、連想メモリが簡単に構成できる。これは、いわゆるホップフィールド型のニューラルネットとは構成も原理も全く異なるものである。CMOS2層ポリシリコンプロセスを用いた試作結果、及び回路最適化の為のシミュレーション結果等についても述べる。
1993-09-17

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