有機物汚染のないシリコンウェハ表面洗浄技術

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概要

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次世代半導体の高性能化実現のためには、ウェハ表面の極限までのクリーン化が必要である。特に、ウェットプロセスにおいては、多数のウェハの同時洗浄ではコンタミネーションが起こりやすい。ここで紹介するダイナミックースピンクリーニングにおいては、窒素雰囲気中で全ての洗浄工程を完了することができる。ここでは特に有機不純物について、洗浄効果を検討した。また従来、微量の有機物汚染については検証が困難であったが、FT-IR-ATR法を用いて測定方法を確立した。
1994-04-21

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