MOSチャネル移動度のSi/SiO_2界面マイクロラフネス依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ゲート酸化膜下のSi, SiO_2界面に微小な凹凸(マイクロラフネス)が存在する。それがMOSFETの電気的特性に与える影響を調査した。マイクロラフネスはE_BD>、Q_BD>の劣化のみでなく、チャネル移動度も低下させる。さらに基板の高濃度化に伴い、マイクロラフネスによる移動度の劣化はより顕著になることを明らかにした。これは、基板の高濃度化に伴いSi/SiO_2界面でのチャネル幅が減少することにより、界面での電子の散乱が顕著になっていくためと考えられる。ゲート長の縮小に伴い基板の高濃度化が予想されるため、プロセスの完全制御により、マイクロラフネスを低減することが更に重要となることを意味している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
-
二ツ木 高志
オルガノ株式会社
-
大見 忠弘
東北大学工学部
-
牧原 康二
東北大学工学部電子工学科
-
二ツ木 高志
東北大学電気通信研究所
-
山本 和馬
東北大学電気通信研究所超微細電子回路実験施設
-
大見 和幸
東北大学工学部電子工学科
関連論文
- 全フッ素化化合物の連続循環ガスクロマトグラフによる分離基礎実験
- 高信頼性極薄ゲート酸化膜形成技術
- 105 真空容器のクリーン溶接技術(その3) : ステンレス鋼の大気中ヒューム吸引溶接法
- ステンレス鋼の酸化制御及びヒューム付着防止溶接法
- 233 真空容器のクリーン溶接技術(その2) : ステンレス鋼のヒューム吸引溶接法
- 124 真空容器のクリーン溶接技術(その1) : 一ステンレス鋼の酸化防止溶接法
- ウルトラクリーン低温プロセスを用いた高信頼性タンタルゲート完全空乏化SOI MOSFET
- コールドサセプタを用いた高速選択タングステンCVDプロセス
- ウルトラクリーン酸化で形成した極薄ゲート酸化膜のホットキャリア耐性
- タンタルゲート電極を用いたSOI MOSFETの閾値制御
- 高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高電流駆動能力SOIMOSデバイス
- ウェハ洗浄溶液のラジカル活性に対する超音波照射の影響
- ステンレス表面における微量水分の吸着 -吸着熱および吸着等温式の検討-
- 高密度Kr/O_2プラズマで低温成膜したシリコン酸化膜、高密度Kr/O_2プラズマ低温照射CVDシリコン酸化膜の膜質に関する研究
- 金属表面フッ化不動態皮膜の形成と特性
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 薄い酸化膜質のSiウェハ面方位依存性 : 酸化膜の電気的信頼性及び酸化膜構造に与えるウェハ面方位の依存性
- タンタルゲート完全空乏化SOI MOSFET作製技術におけるプロセスガイドライン
- 3-3 ニューロンMOS重心検出回路
- 高メンテナンス性を有する半導体製造用高性能ガスパネルシステム
- 低エネルギ・イオンアシスト酸化による超低温ゲート酸化膜形成
- MOSチャネル移動度のSi/SiO_2界面マイクロラフネス依存性
- 超低コンタクト抵抗を実現する自然酸化膜フリーコンタクト形成技術
- 表面吸着水分の計測
- シランガスと各種シリコン表面の相互作用
- 低エネルギイオン照射を用いたシリコン薄膜形成時に生じるドーパント(As, P, Sb, B)の不活性化
- 低エネルギイオン照射を用いたシリコン薄膜形成時に生じるドーパント(As, P, Sb, B)の不活性化
- 低エネルギイオン照射を用いたシリコン薄膜形成時に生じるドーパント(As, P, Sb, B)の不活性化
- 四端子デバイスエレクトロニクスが可能にする"しなやかな"情報処理電子システム
- 高信頼性銅一マグネシウム合金配線技術
- 基板不純物濃度低減による450℃アニールイオン注入接合の特性改善
- 低消費電力ニューロンMOS論理ゲート
- RCA洗浄溶液に生成する活性種の評価
- 21世紀へ向けたULSI生産技術の課題
- 450℃アニールにより低逆バイアス電流n^+p接合の形成
- 450℃超低温接合形成のためのメタル汚染低減イオン注入技術
- 活性ラジカル溶液による基板表面洗浄システム
- 電解イオン水を用いた新しい洗浄技術 : TFT-LCDプロセスへの応用
- クロック制御による高信頼性ニューロンMOS論理回路
- 自動しきい値調整機能を用いたクロック制御ニューロンMOS論理回路
- 希ガス原子照射下でのAlリフロー挙動の分子動力学法による検討
- 照射ion energyの制御によるTFT gate絶縁膜用PECVD-SiNxの高品質化
- スーパクリーン化技術への挑戦(精密工学の最前線)
- The Formation of Terraces and Steps on Si(100) Surfaces and the Change of these Surfaces during Wet Processing
- オゾン添加超純水を用いたシリコンウエハ表面の有機物除去
- 21世紀のエレクトロニクスを切り拓く新しいデバイスプロセスの開発 : 撮像デバイス技術および関連技術分野 : 情報入力
- 誘導結合プラズマによる酸化膜のエッチング特性
- サブクォーターミクロンULSI用銅配線技術
- 薬液と超純水使用量を削減する新しいウェハ洗浄プロセス
- スピンクリーニング法によるシリコンウェハのウルトラクリーン・ウェット洗浄技術
- シランガス中における水分とシロキサン計測ならびにその挙動
- NF_3プラズマを用いたセルフチャンバクリーニング技術
- 3-2 擬似2次元画像処理を用いたニューロンMOS動きベクトル検出回路
- ニューロンMOSデータソーティング回路
- ニューロンMOSウィナー・テーク・オール回路とその連想メモリへの応用
- ウェットプロセスにおける金属不純物のSi表面への付着メカニズムと付着防止技術
- 全フッ素化化合物の連続循環ガスクロマトグラフによる分離基礎実験
- 有機物汚染のないシリコンウェハ表面洗浄技術
- イソプロピルアルコールによる除電機構 : ウェットプロセスの静電気発生防止
- 極微量の有機物汚染を計測する
- パルス電流ストレスによるジャイアントグレイン銅配線の信頼性評価
- 大電流ストレスによるジャイアント・グレインCu配線のエレクトロマイグレーション耐性評価
- 大容量負荷高速駆動用CMOSソートフォロワ・バッファ回路の解析
- 超臨界水で酸化したSiC基板表面とその膜質評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 自己制限型原子層エッチングのSi面方位依存性
- シリコンの自己制限型原子層エッチング
- 金属表面のCr2O3およびNiF2不動態処理 (LSI製造における表面制御技術)
- E-32 洗浄工程におけるウエハ帯電の防止