The Formation of Terraces and Steps on Si(100) Surfaces and the Change of these Surfaces during Wet Processing
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概要
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次世代半導体の高性能化実現のためには、ウェハ表面の極限までのクリーン化が必要である。特に、ウェットプロセスにおいては、多数のウェハの同時洗浄ではコンタミネーションが起こりやすい。ここで紹介するダイナミックースピンクリーニングにおいては、窒素雰囲気中で全ての洗浄工程を完了することができる。ここでは特に有機不純物について、洗浄効果を検討した。また従来、微量の有機物汚染については検証が困難であったが、FT-IR-ATR法を用いて測定方法を確立した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-04-21
著者
-
大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
二ツ木 高志
オルガノ株式会社
-
二ツ木 高志
東北大学電気通信研究所
-
大見 忠弘
東北大学電子工学科
-
Verhaverbeke Steven
東北大学工学部電子工学科
-
Ohmi Tadahiro
東北大学工学部電子工学科
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