ウェットプロセスにおける金属不純物のSi表面への付着メカニズムと付着防止技術
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概要
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金属不純物汚染は半導体デバイスの電気的特性を致命的に劣化させる。ウェットプロセス(特に希フッ酸エッチング工程)においてシリコン表面に付着し易い金属の代表であるCuの付着挙動を研究した。溶液中のCuイオンは、Si表面に金属微粒子となって付着している事が明らかとなった。また、希フッ酸溶液中におけるCuの付着は、同時にSi表面にピット(MIP)を引き起こしている事が判った。この事からCuの付着メカニズムは、CuイオンとSiとの局部的な酸化還元反応である事が推察される。さらにCuの付着は、酸や酸化剤の添加によって、溶液のpHを低くする事、酸化還元電位を高くする事により防止できる事が明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-04-21
著者
-
大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学工学部
-
森永 均
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
陶山 誠
東北大学工学部電子工学科
-
能勢 昌之
東北大学工学部電子工学科
-
森永 均
東北大学工学部電子工学科
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