マイクロ波励起高密度プラズマによる低温(300℃)ポリシリコンの成膜
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概要
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マイクロ波で励起された高密度プラズマによって、SiH_4/Xeを用いたプラズマCVDにより300℃で多結晶シリコンの成膜を行なった。X線回折で測定したグレインサイズは25nmであり、これは低温で直接成膜した100nm厚の多結晶シリコンとしては、これまで報告されているものの中で最も大きなグレインサイズである。マイクロ波励起で生成された高密度(>10^<12>cm^-3)で電子温度が低い(<leV)プラズマを薄膜成長に用いた。半径の大きなイオンXe^+の低エネルギ・高密度照射によってシリコンの表面での反応・移動を効果的に促進し、低温での高品質な薄膜成長を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-21
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
進藤 亘
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
進藤 亘
東北大学工学研究科電子工学専攻
-
酒井 重史
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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