Hole注入法によるNBTI評価手法及び寿命予測方法の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
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概要
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集積回路の信頼性問題において、pMOSFETにNegative Bias Temperature (NBT)ストレスを印加した場合に顕著に現れる劣化、つまりNegative Bias Temperature Instability (NBTI)について研究を行った。NBTI評価方法として高温・高電圧を用いる加速方法が一般的である。しかし、この手法で用いられる高温・高電圧はデバイスの実使用で用いられる温度・電圧より非常に大きいために過度な劣化を引き起こしている可能性がある。特に高電圧印加による加速は劣化メカニズムまでも変えてしまう可能性がある。そこで本研究では、ホール注入法を用いて劣化加速する方法を開発した。この方法は従来方法のような高電圧を使用しないので劣化を過大評価することはなく、本方法によりNBTストレスによる劣化メカニズムが明らかになった。提案する劣化メカニズムは理論的にも検証し、開発したホール注入法によって正確なNBTI寿命予測を実使用環境と全く同じ条件で行た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-18
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
渡辺 一史
東北大学大学院工学研究科
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻
-
黒田 理人
東北大学工学研究科
-
三富士 道彦
ローム株式会社
-
山葉 隆久
ローム株式会社
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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