低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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近年、半導体デバイスの高集積化が進み、デバイスの高速動作の観点から配線のRC遅延を減少させるために低誘電率層間絶縁膜とCu配線構造が用いられている。さらなるデバイスの高速化にあたり、配線間容量の低減のためultra low-k材料が層間絶縁に用いられているが、Cu拡散バリアー層として用いられているP-SiCやSiCNは比誘電率大きく、ultra low-k材料によるメリットを相殺し、実効比誘電率keffの低下を妨げている。ここで我々は高密度低電子温度を特徴とするラジアルスロットルアンテナ:RLSAを用いたプラズマ源により、アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜を開発、低誘電率Cuバリアー膜として提案し、その基礎特性とCuバリアー性を評価したので報告する。
- 2007-09-27
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
石川 拓
東京エレクトロン技術研究所(株):東北大学大学院工学研究科
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
野沢 俊久
東京エレクトロン技術研究所(株)
-
松岡 孝明
東京エレクトロン技術研究所(株)
-
伊藤 隆司
(株)富士通研究所
-
伊藤 隆司
富士通研究所
-
伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
伊藤 隆司
東京工大 ソリューション研究機構
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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