伊藤 隆司 | 東北大学大学院工学研究科
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
-
伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
伊藤 隆司
富士通研究所
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
伊藤 隆司
東京工大 ソリューション研究機構
-
小谷 光司
東北大学大学院工学研究科
-
伊藤 隆司
(株)富士通研究所
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
-
森田 瑞穂
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
黒木 伸一郎
東北大学大学院工学研究科
-
黒木 伸一郎
東北大学工学研究科電子工学専攻
-
宮本 直人
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
藤井 俊太朗
東北大学大学院工学研究科
-
新井 宏明
東北大学大学院工学研究科
-
藤澤 久典
株式会社富士通研究所
-
杉野 林志
スパンション株式会社:東北大学大学院工学研究科
-
田主 裕一朗
東北大学国際高等融合領域研究所
-
坂井 靖文
東北大学大学院工学研究科
-
宮武 久和
シャープ株式会社 電子デバイス開発本部
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
加藤 寿
東京エレクトロンat 東京エレクトロン
-
杉田 義博
(株)富士通研究所
-
KIM Unsoon
スパンション株式会社
-
MIN Kyunghoon
スパンション株式会社
-
CHENG Ning
スパンション株式会社
-
WU Huaqiang
スパンション株式会社
-
LEE Chungho
スパンション株式会社
-
CHEUNG Fred
スパンション株式会社
-
上西 雅彦
東京エレクトロンAT,東京エレクトロン
-
多田 新吾
東京エレクトロンAT,東京エレクトロン
-
佐々木 敦史
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
阿部 俊幸
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
Kinoshita Hiro
スパンション株式会社
-
多胡 紀一郎
東北大学大学院工学研究科
-
有本 由弘
富士通研
-
杉本 文利
富士通株式会社
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
有本 由弘
富士通研究所
-
上西 雅彦
東京エレクトロンat 東京エレクトロン
-
多田 新吾
東京エレクトロンat 東京エレクトロン
-
杉本 文利
富士通研究所ULSIプロセス研究部
-
宮本 直人
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
有本 由弘
(株)富士通研究所
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
-
渡辺 高行
宇部マテリアルズ(株)
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学
-
大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
-
石川 拓
東京エレクトロン技術研究所(株):東北大学大学院工学研究科
-
平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
鈴木 克昌
大陽日酸株式会社
-
石原 良夫
大陽日酸株式会社
-
迫田 薫
大陽日酸株式会社
-
白井 泰雪
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
野沢 俊久
東京エレクトロン技術研究所(株)
-
松岡 孝明
東京エレクトロン技術研究所(株)
-
奈良 安雄
富士通研究所
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
-
杉野 林志
スパンション株式会社
-
KINOSHITA Hiroyuki
スパンション株式会社
-
Kim Unsoon
SPANSION Inc.
-
Min Kyunghoon
SPANSION Inc.
-
Cheng Ning
SPANSION Inc.
-
Wu Huaqiang
SPANSION Inc.
-
Lee Chungho
SPANSION Inc.
-
Cheung Fred
SPANSION Inc.
-
Kinoshita Hiro
SPANSION Inc.
-
伊藤 隆司
富士通(株)
-
杉野 林志
富士通(株)
-
石川 健治
(株)富士通研究所
-
杉野 林志
株式会社富士通研究所
-
奥井 芳子
株式会社富士通研究所
-
滋野 真弓
株式会社富士通研究所
-
大久保 聡
株式会社富士通研究所
-
高崎 金剛
株式会社富士通研究所
-
伊藤 隆司
株式会社富士通研究所
-
渡辺 悟
富士通厚木研
-
滋野 真弓
富士通厚木研
-
中山 範明
富士通厚木研
-
伊藤 隆司
富士通厚木研
-
沼田 雅之
東北大学大学院工学研究科
-
越本 洋平
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
春山 健
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
大久保 聡
富士通研究所
-
高崎 金剛
富士通研究所
-
河野 陽輔
東北大学大学院工学研究科
-
村 直美
株式会社フィルテック
-
山上 公久
株式会社フィルテック
-
古村 雄二
株式会社フィルテック
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Graduate School Of Engineering Tohoku University:(present Addre
-
堀江 博
(株)富士通研究所
-
渡辺 悟
富士通研究所
-
中山 範明
富士通研究所
-
堀内 敬
富士通研究所
-
杉田 義博
富士通研究所株式会社
-
杉田 義博
富士通研究所
-
渡辺 高行
宇部マテリアルズ株式会社
-
渡辺 高行
宇部マテリアルズ(株)
-
白井 泰雪
東北大未来科学技術共同研究センター
-
鉾 宏真
富士通研究所ulsiプロセス研究部
-
石川 健治
富士通研究所
-
石川 健治
富士通研究所(株)ファブテクノロジ研究部
-
杉野 林志
SPANSION Inc.
-
堀江 博
富士通研究所、ULSIプロセス研究部
-
石原 良夫
大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所
-
伊藤 隆司
静岡大学電子工学研究所
-
伊ヶ先 泰宏
静岡大学電子工学研究所
-
黒木 伸一郎
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
著作論文
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ (集積回路)
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ (電子部品・材料)
- 水酸基終端シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- フッ素固定式パーフルオロ化合物(PFCs)除害システム
- 塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス : 高選択,ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
- 塩素ガスエッチングを用いた微細MOS Elevated Source/Drainプロセス : 高選択、ダメージフリーのバッチ処理Siエッチング
- ドライ洗浄技術 : 半導体製造(生活の基本,そして製造・生産に必須の技術 : 洗う技術)
- UV/Cl_2ドライクリーニングメカニズム : 表面Fe汚染除去におけるSiCl_4の効果
- 29p-BPS-32 純水中で形成されるSi(111):SiH表面
- UHF帯RFID向け高効率差動型整流回路(RFID技術,システムオンシリコン,RFID技術及び一般)
- エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化(プロセス科学と新プロセス技術)
- C-10-24 微細n型SOI-MESFETの電流電圧特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-12-14 インバータアンプによる電荷積分回路を用いたFeRAMの読み出し安定化(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-49 ラダーモデルによるガラス基板上インダクタの高精度モデリング(C-12.集積回路,一般セッション)
- 機械的歪み印加によるSrTiO_3MIMキャパシタ誘電率変調(プロセス科学と新プロセス技術)
- B-20-11 UHF帯RFID向け高効率差動型整流回路(B-20.ユビキタス・センサネットワーク,一般講演)
- RF-ID向けDickson Charge Pump整流回路における接合容量効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- RF-ID向けDickson Charge Pump整流回路における接合容量効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- RF-ID向け Dickson Charge Pump 整流回路における接合容量効果
- ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化(プロセス科学と新プロセス技術)
- 連続波レーザーによる強誘電体PZT薄膜の結晶化,AWAD2006)
- 連続波レーザーによる強誘電体PZT薄膜の結晶化
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ(デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地)
- Tailbiting BIPを用いたWiMAX用ターボデコーダ(デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地)
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善,AWAD2006)
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長,AWAD2006)
- 光刺激脱離によるSi上の酸化物の低温除去とSiホモエピタキシー
- 熱酸化シリコンの照射損傷による構造変化
- pH制御選択研磨による超薄膜SOI基板の作製
- SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性(プロセス科学と新プロセス技術)
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善
- VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善
- 酸化膜CMPにおけるウエハ温度のin situモニタリング
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長
- 連続波グリーンレーザーによるシリコン薄膜のグレイン成長
- ホットウォール法によるc軸配向したInSe薄膜の作製