堀江 博 | (株)富士通研究所
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概要
関連著者
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堀江 博
(株)富士通研究所
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有本 由弘
富士通研
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有本 由弘
(株)富士通研究所
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有本 由弘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
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伊藤 昭男
富士通研究所
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今井 雅彦
(株)富士通研究所
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伊藤 昭男
(株)富士通研究所
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有本 由弘
富士通研究所
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堀江 博
富士通研究所、ULSIプロセス研究部
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伊藤 隆司
東北大学大学院工学研究科
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佐々木 伸夫
(株)富士通研究所
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松本 聡
NTT環境エネルギー研究所
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谷内 利明
東京理科大学工学部
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谷内 利明
Ntt入出力システム研究所
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佐々木 伸夫
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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松本 聡
NTT入出力システム研究所
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伊藤 隆司
富士通研究所
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杉本 文利
富士通株式会社
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伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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佐々木 伸夫
富士通研究所、ulsiプロセス研究部
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鉾 宏真
富士通研究所ulsiプロセス研究部
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岸井 貞浩
富士通研究所
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杉本 文利
富士通研究所ULSIプロセス研究部
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KISHII Sadahiro
Fujitsu Laboratories Ltd.
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岸井 貞浩
(株)富士通研究所
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Kishii Sadahiro
Device Integration Technology Laboratories, Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan
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岸井 貞浩
(株) 富士通研究所
著作論文
- pH制御選択研磨による超薄膜SOI基板の作製
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したQuasi-SOIパワーMOSFET
- 多結晶シリコンとアルミ置換による高アスペクト比ビアプラグの形成技術
- 多結晶シリコンとアルミ置換による微細配線技術
- フィールド酸化膜ストッパ型貼り合わせSOI基板の作製とMOSFETの評価
- 研磨による層間膜の平坦化