伊藤 昭男 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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伊藤 昭男
富士通研究所
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有本 由弘
富士通研
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有本 由弘
(株)富士通研究所
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有本 由弘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
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堀江 博
(株)富士通研究所
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今井 雅彦
(株)富士通研究所
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伊藤 昭男
(株)富士通研究所
-
伊藤 昭男
富士通 株式会社
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恵下 隆
富士通 株式会社
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堀井 義正
富士通 株式会社
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酒井 達郎
Ntt通信エネルギー研究所
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遠藤 徹
富士通株式会社
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佐々木 伸夫
(株)富士通研究所
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谷内 利明
東京理科大学工学部
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谷内 利明
Ntt入出力システム研究所
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石山 俊彦
Ntt
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川嶋 将一郎
富士通株式会社
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佐々木 伸夫
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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中村 亘
富士通株式会社
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松本 聡
NTT入出力システム研究所
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石山 俊彦
NTT入出力システム研究所
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平岡 靖史
NTT入出力システム研究所
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丸山 研二
富士通
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伊藤 昭男
富士通株式会社
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渡邉 純一
富士通株式会社
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堀井 義正
富士通株式会社
-
恵下 隆
富士通株式会社
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松浦 克好
富士通 株式会社
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高井 一章
富士通 株式会社
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彦坂 幸信
富士通 株式会社
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小室 玄一
富士通 株式会社
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倉澤 正樹
株式会社 富士通研究所
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丸山 研二
株式会社 富士通研究所
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有本 由弘
富士通研究所
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佐々木 伸夫
富士通研究所、ulsiプロセス研究部
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中村 亘
富士通
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SAKAI T.
NTT Integrated Information & Energy Systems Laboratories
著作論文
- 低電圧用センスアンプによるFeRAMの開発(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- [招待論文]4Mbit 混載メモリ用0.18μmFRAMプロセスの開発(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- デバイス反転型薄層Quasi-SOIパワーMOSFET
- 多結晶シリコンとアルミ置換による高アスペクト比ビアプラグの形成技術
- 多結晶シリコンとアルミ置換による微細配線技術
- フィールド酸化膜ストッパ型貼り合わせSOI基板の作製とMOSFETの評価