デバイス反転型薄層Quasi-SOIパワーMOSFET
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概要
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デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法(RSDB)により、薄層Quasi-SOIパワーMOSFETを作製した。その素子特性は、電気的測定、2次元シミュレーションおよび解析式を用いて評価した。Quasi-SOIパワーMOSFETでは耐圧30vなど、従来型SOIパワーMOSFETと同程度の性能を維持できる。また、Quasi-SOIパワーMOSFETは、従来型SOIパワーMOSFETに比べ、低オン抵抗、低寄生容量、安全動作領域が広いという特性も示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-18
著者
-
酒井 達郎
Ntt通信エネルギー研究所
-
伊藤 昭男
富士通研究所
-
谷内 利明
東京理科大学工学部
-
谷内 利明
Ntt入出力システム研究所
-
石山 俊彦
Ntt
-
松本 聡
NTT入出力システム研究所
-
石山 俊彦
NTT入出力システム研究所
-
平岡 靖史
NTT入出力システム研究所
-
有本 由弘
富士通研
-
有本 由弘
富士通研究所
-
SAKAI T.
NTT Integrated Information & Energy Systems Laboratories
-
有本 由弘
(株)富士通研究所
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