薄層SOIパワーMOSFET
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概要
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薄層SOIパワーMOSFETは低寄生容量のため高周波応用のパワーデバイスとしての期待が高い。本報告では、薄層SOIパワーMOSFETのスイッチング素子ならびにR F パワー素子としての特徴について述べる。また、薄層SOIパワーMOSFETの問題点とその解決方法についても述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-20
著者
-
松本 聡
NTT通信エネルギー研究所
-
平岡 靖史
NTT通信エネルギー研究所
-
松本 聡
NTT環境エネルギー研究所
-
谷内 利明
東京理科大学工学部
-
谷内 利明
Ntt通信エネルギー研究所
-
酒井 達郎
NTT入出力システム研究所
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