貼り合わせSOI基板に作製したC帯(3.9-6.2GHz)SOIパワーMOSFET
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概要
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- 2001-03-08
著者
-
酒井 達郎
Ntt通信エネルギー研究所
-
平岡 靖史
NTT環境エネルギー研究所
-
松本 聡
NTT通信エネルギー研究所
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平岡 靖史
NTT通信エネルギー研究所
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松本 聡
NTT環境エネルギー研究所
-
酒井 達郎
NTT入出力システム研究所
-
平岡 靖史
日本電信電話株式会社 NTT環境エネルギー研究所
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