頑張る低耐圧シリコンパワーデバイス(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
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概要
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低耐圧シリコンパワーデバイスは微細加工技術、デバイス構造の工夫等で、従来のデバイス技術をもとに考えられていたSiリミットを打ち破るデバイスが出現し、性能は年々改善されている。本報告では、低耐圧のシリコンパワーデバイスの開発動向を紹介する.また、RFフロントエンド用のパワーデバイスの研究開発動向をもとに、将来の電源用パワーデバイスの研究開発動向についても述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-02-22
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