デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したQuasi-SOIパワーMOSFET
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概要
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薄層SOIパワーMOSFETの寄生バイポーラ効果の抑制を目的として、ボディ領域下部の埋め込み酸化膜を除去し、ソース・ボディコンタクト電極とボディ領域を直接接続したQuasi-SOIパワーMOSFETをデバイス反転型のシリコンウエハー直接貼り合わせ法により製作した。Quasi-SOI構造の採用により寄生バイポーラ効果を抑制することができ、さらに通常のSOIパワーMOSFETに比べオン抵抗を低減することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-14
著者
-
松本 聡
NTT環境エネルギー研究所
-
谷内 利明
東京理科大学工学部
-
谷内 利明
Ntt入出力システム研究所
-
松本 聡
NTT入出力システム研究所
-
有本 由弘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
-
有本 由弘
富士通研
-
堀江 博
(株)富士通研究所
-
有本 由弘
(株)富士通研究所
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