タングステンポリサイドゲート薄層SOIパワーMOSFETのデバイス特性
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概要
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ポリサイドゲートを有する30Vクラス薄層SOIパワーMOSFETをチップレベルで試作し、その電気的特性を明らかにした。試作したチップは、1010のユニットセルを集積しており、全ゲート幅は4.04cmでる。オン抵抗は、293mΩであり、ソースドレイン間耐圧は34Vであった。また、各種寄生容量を明らかにするとともに、寄生容量のドレイン電圧依存性をバルク基板に試作した横型パワーMOSFETと比較した。また、p型高抵抗基板とタングステンポリサイドゲートが薄層SOIパワーMOSFETの高速化に有効であることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-27
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