SOI基板における不純物分布のデバイス特性への影響
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概要
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SOI構造に3層系モデルを提案し、SOI構造中の不純物分布のシミュレーションを行った。本モデルを用いたシミュレーション結果は、Si層中でのアニール後のボロンのプロファイルの測定結果と一致した。本モデルを用いて得られたSi層中の不純物分布をもとにして、MOSFETのしきい値電圧を計算し、不純物分布プロファイルが、しきい値電圧に影響する事を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-10
著者
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