薄層SOIパワーMOSFETの高周波特性に対する寄生バイポーラ効果の影響

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概要

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SOlデバイスにおける寄生バイポーラ・トランジスタが高周波特性に与える影響について、シミュレーションを用いて検討した。回路シミュレーション用のデバイス・パラメータは2次元デバイス・シミュレーションから抽出した。また、デバイスシミュレーションにおける不純物濃度等のパラメータは、実デバイスの特性をもとに合わせ込みを行った。今回はトランジェント・シミュレーションとハーモニック・バランス・シミュレーションの2種類の回路シミュレーションを行った。その結果、通常のSOlデバイスでは寄生バイポーラ効果によってゲイン、電力付加効率等のRF特性が劣化することを明らかにした。特に3次の相互変調歪で比較すると、寄生バイポーラ効果が強く現れているデバイスは寄生バイポーラ効果が抑圧されたデバイスに比べ、23dBc程度特性が劣化するという計算結果が得られた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-06-23

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