SBC-1-4 パワー半導体デバイスの動向(SBC-1.宇宙太陽発電所とマイクロ波電力伝送)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-08
著者
関連論文
- 自己整合オフセットゲートを有する5.8GHz帯SOIパワーMOSFET
- SC-7-5 SOI RFパワーMOSFET
- 貼り合わせSOI基板に作製したC帯(3.9〜6.2GHz)SOIパワーMOSFET
- 貼り合わせSOI基板に作製したC帯(3.9-6.2GHz)SOIパワーMOSFET
- C-2-3 貼り合わせSOI基板に作製した5GHz帯SiRFパワーMOSFET
- 薄層SOIパワーMOSFETの高周波特性に対する寄生バイポーラ効果の影響
- 0.5μmルールで作製した薄層SOIRFパワーMOSFET
- DTMOS SOIパワーMOSFETによる低電圧出力DC-DCコンバータの効率改善
- [特別講演]次々世代CPU用電源(小テーマ:部品・デバイス・材料技術関連)
- B-9-5 歩行発電システムの原理確認(B-9.電子通信エネルギー技術,一般講演)
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- SOIパワーMOSFETを用いた5GHz帯パワーアンプの検討
- P1-15 超音波ワイヤレス電力伝送における伝送周波数ピークシフトの伝送電力量への影響(ポスターセッション1(概要講演))
- 低損失5GHz帯SOI RFパワーMOSFET
- C-2-7 低損失 SPDT スイッチ用 SOI RF パワー MOSFET
- 高周波SOIパワーMOSFETの線形増幅特性
- C-2-27 SOI RF パワーMOSFETの線形増幅特性
- 薄層SOIパワーMOSFETの高周波特性に対する寄生バイポーラ効果の影響
- 0.5μmルールで作製した薄層SOIRFパワーMOSFET
- DTMOS SOIパワーMOSFETによる低電圧出力DC-DCコンバータの効率改善
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により作製した薄層SOIパワーMOSFETのホットキャリア効果
- 薄層SOIパワーMOSFET
- B-9-8 歩行発電に適した小型発電機(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- エネルギーハーベスティング機能を有するクリンェネルギー向け昇圧制御IC
- 単セル太陽電池用昇圧コンバータ(エネルギー技術,半導体変換技術,一般)
- 1740 ベーンモーター型小型タービンの検討(G05-4 流体工学(4)流体機械,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- BS-6-4 タービンを用いた歩行発電システムの特性(BS-6. マイクロエネルギー技術の現状と今後の展望,シンポジウムセッション)
- BS-7-3 次世代ネットワーク機器用電源に用いられる低耐圧パワーデバイスの開発動向(BS-7.次世代通信ネットワークNGNに要求されるバッテリーと電源技術,シンポジウム)
- 頑張る低耐圧シリコンパワーデバイス(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 傾斜ビーム全反射型受光素子(Tilted-Beam's Total-Reflection Photodiode : TBR-PD)における受光感度特性の波動光学的解析(レーザ・量子エレクトロニクス)
- SBC-1-4 パワー半導体デバイスの動向(SBC-1.宇宙太陽発電所とマイクロ波電力伝送)
- SBC-1-4 パワー半導体デバイスの動向(SBC-1.宇宙太陽発電所とマイクロ波電力伝送)
- マイクロ波シリコンパワーMOSFET
- SOI基板におけるリンの再分布モデル
- 薄層SOIパワーMOSFET
- 完全空乏化型薄層SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したQuasi-SOIパワーMOSFET
- デバイスシミュレーションによるLIGBT/Quasi-SOIの検討
- 超低オン抵抗パワ-MOSFET (最先端パワ-デバイスで何ができるか)