デバイスシミュレーションによるLIGBT/Quasi-SOIの検討
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概要
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LIGBT/SOIのラッチアップ耐量の改善を目的として、チャネル部またはチャネル部とソース部直下の埋め込み酸化膜を除去して低抵抗p型基板に接続した、LIGBT/Quasi-SOI構造のデバイス特性をデバイスシミュレーションにより検討した。その結果、基板抵抗の低下とともにラッチアップ電流が増加すること、埋め込み酸化膜の除去部分が大きいほどラッチップ耐量を改善できることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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