デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により作製した薄層SOIパワーMOSFETのホットキャリア効果
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概要
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- 1999-10-21
著者
-
酒井 達郎
Ntt通信エネルギー研究所
-
松本 聡
NTT通信エネルギー研究所
-
松本 聡
NTT環境エネルギー研究所
-
谷内 利明
東京理科大学工学部
-
谷内 利明
Ntt通信エネルギー研究所
-
石山 俊彦
Ntt
-
酒井 達郎
NTT入出力システム研究所
-
石山 俊彦
NTT通信エネルギー研究所
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