デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
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概要
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SOIデバイスに特有なボディフローティング効果を抑制できるQuasi-SOiパワーMOSFETをデバイス反転型のシリコンウエハー直接貼り合わせ法により製作し、そのDC特性と高周波特性を評価した。試作した素子の遮断周波数(fT)は11.5GHz、最高発振周波数(fmax)は11GHzであった。また、大信号動作時の評価を行ったところ、2GHz、3.6Vで電力付加効率68%の高効率を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-22
著者
-
酒井 達郎
Ntt通信エネルギー研究所
-
谷内 利明
東京理科大学工学部
-
谷内 利明
Ntt入出力システム研究所
-
石山 俊彦
Ntt
-
村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
上綱 秀樹
NTTワイヤレスシステム研究所
-
村口 正弘
NTTワイヤレスシステム研究所
-
松本 聡
NTT入出力システム研究所
-
石山 俊彦
NTT入出力システム研究所
-
平岡 靖史
NTT入出力システム研究所
-
酒井 達郎
NTT入出力システム研究所
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