C-2-3 貼り合わせSOI基板に作製した5GHz帯SiRFパワーMOSFET
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
酒井 達郎
Ntt通信エネルギー研究所
-
平岡 靖史
NTT環境エネルギー研究所
-
松本 聡
NTT通信エネルギー研究所
-
平岡 靖史
NTT通信エネルギー研究所
-
松本 聡
NTT環境エネルギー研究所
-
酒井 達郎
NTT入出力システム研究所
-
平岡 靖史
日本電信電話株式会社 NTT環境エネルギー研究所
関連論文
- 通信用燃料電池システムの研究開発 (特集 通信エネルギー技術の研究開発)
- 品質別電力供給システムにおける直流電力供給部の安定性解析
- 品質別電力供給システムにおける直流電力供給部の安定性解析(スイッチング電源及びユビキタス電源,一般)
- 直流電力給電網における短絡電流遮断時の過渡特性解析
- 250kW級固体高分子形燃料電池コージェネレーションシステムのフィールドテスト(回路技術関連)
- 自己整合オフセットゲートを有する5.8GHz帯SOIパワーMOSFET
- SC-7-5 SOI RFパワーMOSFET
- 143 太陽電池動作型カード形携帯電源の動作特性(マイクロエネルギー/精密機器マイクロメカトロニクス)
- 貼り合わせSOI基板に作製したC帯(3.9〜6.2GHz)SOIパワーMOSFET
- 貼り合わせSOI基板に作製したC帯(3.9-6.2GHz)SOIパワーMOSFET
- Li^+ポリマ電池に適した非接触給電回路
- B-9-7 DC-DCコンバータを含む給電系の発振現象の数式解析
- C-2-3 貼り合わせSOI基板に作製した5GHz帯SiRFパワーMOSFET
- 1103 ソーラカードパワー用非接触給電コイルの特性
- 1102 力学的エネルギーによって駆動するカード端末用薄型発電機の発電特性
- カード型非接触給電装置用伝送コイルの特性
- 携帯端末用非接触給電回路の高出力化の検討
- 薄層SOIパワーMOSFETの高周波特性に対する寄生バイポーラ効果の影響
- 0.5μmルールで作製した薄層SOIRFパワーMOSFET
- 直流給電系の安定化に関するシミュレーション解析
- DTMOS SOIパワーMOSFETによる低電圧出力DC-DCコンバータの効率改善
- [特別講演]次々世代CPU用電源(小テーマ:部品・デバイス・材料技術関連)
- 配線インピーダンスを含む分散給電システムの安定化について(回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連,一般)
- 配線インピーダンスによる分散給電システムのインピーダンス特性の変化について
- BS-9-2 分散給電システムにおける配線インピーダンスが安定性に及ぼす影響について(BS-9.IT・通信装置における分散給電に対応した電源技術と動向,シンポジウム)
- B-9-5 歩行発電システムの原理確認(B-9.電子通信エネルギー技術,一般講演)
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- SOIパワーMOSFETを用いた5GHz帯パワーアンプの検討
- P1-15 超音波ワイヤレス電力伝送における伝送周波数ピークシフトの伝送電力量への影響(ポスターセッション1(概要講演))
- 低損失5GHz帯SOI RFパワーMOSFET
- C-2-7 低損失 SPDT スイッチ用 SOI RF パワー MOSFET
- 高周波SOIパワーMOSFETの線形増幅特性
- C-2-27 SOI RF パワーMOSFETの線形増幅特性
- 薄層SOIパワーMOSFETの高周波特性に対する寄生バイポーラ効果の影響
- 0.5μmルールで作製した薄層SOIRFパワーMOSFET
- DTMOS SOIパワーMOSFETによる低電圧出力DC-DCコンバータの効率改善
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により作製した薄層SOIパワーMOSFETのホットキャリア効果
- 薄層SOIパワーMOSFET
- B-9-8 歩行発電に適した小型発電機(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- エネルギーハーベスティング機能を有するクリンェネルギー向け昇圧制御IC
- 単セル太陽電池用昇圧コンバータ(エネルギー技術,半導体変換技術,一般)
- 1740 ベーンモーター型小型タービンの検討(G05-4 流体工学(4)流体機械,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- BS-6-4 タービンを用いた歩行発電システムの特性(BS-6. マイクロエネルギー技術の現状と今後の展望,シンポジウムセッション)
- BS-7-3 次世代ネットワーク機器用電源に用いられる低耐圧パワーデバイスの開発動向(BS-7.次世代通信ネットワークNGNに要求されるバッテリーと電源技術,シンポジウム)
- 頑張る低耐圧シリコンパワーデバイス(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- SBC-1-4 パワー半導体デバイスの動向(SBC-1.宇宙太陽発電所とマイクロ波電力伝送)
- SBC-1-4 パワー半導体デバイスの動向(SBC-1.宇宙太陽発電所とマイクロ波電力伝送)
- マイクロ波シリコンパワーMOSFET
- 2端子対網を用いた分散給電システムの小信号解析モデルについて(部品・デバイス・材料技術関連,一般)
- 各種DC-DCコンバータの縦続システムの安定性解析について(回路技術関連,一般)
- 直流給電系の安定化に関するシミュレーション解析
- 直流給電系の安定化に関するシミュレーション解析
- SB-7-4 直流給電系の安定化に対するコンデンサ特性の影響について
- 太陽電池と電気二重層コンデンサを用いた携帯機器用電力供給回路
- 携帯用非接触ICカードリーダの検討
- BS-3-3 定電力コンバータを含む直流給電網の安定性解析(BS-3.スイッチング電源の性能向上に寄与する制御技術の現状と今後の動向,シンポジウム)
- B-9-8 同期整流素子新駆動法を用いた電池入力一石フォワードコンバータ
- 低出力電圧、小形・高効率バックコンバータ
- 低出力電圧、小形・高効率バックコンバータ
- SOI基板におけるリンの再分布モデル
- SOI基板におけるリンの再分布モデル
- SOI基板における不純物分布のデバイス特性への影響
- SOI基板におけるリンの再分布モデル
- SOI基板におけるリンの再分布モデル
- デバイス反転型薄層Quasi-SOIパワーMOSFET
- 129 非接触電力伝送用薄型伝送コイルの特性
- 123 カード端末用直線駆動薄型発電機の発電特性
- 低出力電圧コンバ-タの高効率化を実現する電源制御ICの開発
- 次世代端末用高効率コンバ-タ (特集論文 通信システムの省エネルギ-化)
- 小形で高効率な電池入力リンガ-回路
- 薄層SOIパワーMOSFET
- 薄層SOIパワーMOSFET
- 低電圧出力、小形・高効率DC-DCコンバータ
- 薄層SOIパワーMOSFETを主スイッチに用いたDC-DCコンバータ
- 完全空乏化型薄層SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したQuasi-SOIパワーMOSFET
- デバイスシミュレーションによるLIGBT/Quasi-SOIの検討
- 超低オン抵抗パワ-MOSFET (最先端パワ-デバイスで何ができるか)
- マイクロコントローラを用いた通信用信号発生回路
- プレーナトランスを用いた一石フォワード型マイクロコンバータ
- 低出力電圧高効率小形DC・DCコンバータ
- 1V出力小形・高効率DC/DCコンバータ