平岡 靖史 | NTT通信エネルギー研究所
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概要
関連著者
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松本 聡
NTT通信エネルギー研究所
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平岡 靖史
NTT通信エネルギー研究所
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松本 聡
NTT環境エネルギー研究所
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酒井 達郎
NTT入出力システム研究所
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酒井 達郎
Ntt通信エネルギー研究所
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平岡 靖史
NTT環境エネルギー研究所
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平岡 靖史
日本電信電話株式会社 NTT環境エネルギー研究所
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谷内 利明
東京理科大学工学部
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谷内 利明
Ntt通信エネルギー研究所
著作論文
- 自己整合オフセットゲートを有する5.8GHz帯SOIパワーMOSFET
- SC-7-5 SOI RFパワーMOSFET
- 貼り合わせSOI基板に作製したC帯(3.9〜6.2GHz)SOIパワーMOSFET
- 貼り合わせSOI基板に作製したC帯(3.9-6.2GHz)SOIパワーMOSFET
- C-2-3 貼り合わせSOI基板に作製した5GHz帯SiRFパワーMOSFET
- 薄層SOIパワーMOSFETの高周波特性に対する寄生バイポーラ効果の影響
- 0.5μmルールで作製した薄層SOIRFパワーMOSFET
- DTMOS SOIパワーMOSFETによる低電圧出力DC-DCコンバータの効率改善
- 薄層SOIパワーMOSFETの高周波特性に対する寄生バイポーラ効果の影響
- 0.5μmルールで作製した薄層SOIRFパワーMOSFET
- DTMOS SOIパワーMOSFETによる低電圧出力DC-DCコンバータの効率改善
- 薄層SOIパワーMOSFET
- 薄層SOIパワーMOSFET
- 薄層SOIパワーMOSFET