酒井 達郎 | NTT入出力システム研究所
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概要
関連著者
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酒井 達郎
NTT入出力システム研究所
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酒井 達郎
Ntt通信エネルギー研究所
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谷内 利明
東京理科大学工学部
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谷内 利明
Ntt入出力システム研究所
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松本 聡
NTT通信エネルギー研究所
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松本 聡
NTT環境エネルギー研究所
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平岡 靖史
NTT通信エネルギー研究所
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三野 正人
NTT環境エネルギー研究所
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瀬良田 卓嗣
NTTファシリティーズ
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塚本 一男
Ntt建築総合研究所
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金井 康通
Ntt 環境エネルギー研
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平岡 靖史
NTT環境エネルギー研究所
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石山 俊彦
Ntt
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松本 聡
NTT入出力システム研究所
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石山 俊彦
NTT入出力システム研究所
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平岡 靖史
日本電信電話株式会社 NTT環境エネルギー研究所
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田中 徹
Ntt環境エネルギー研究所
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田中 徹
NTT通信エネルギー研究所
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三野 正人
NTT Telecommunications Energy Laboratories
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酒井 達郎
NTT Telecommunications Energy Laboratories
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塚本 一男
NTT入出力システム研究所
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瀬良田 卓嗣
NTT入出力システム研究所
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山田 一郎
日本電信電話(株)
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金井 康通
NTT通信エネルギー研究所
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三野 正人
NTT通信エネルギー研究所
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山田 一郎
NTT Telecommunications Energy Laboratories
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平岡 靖史
NTT入出力システム研究所
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谷内 利明
Ntt通信エネルギー研究所
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村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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上綱 秀樹
NTTワイヤレスシステム研究所
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村口 正弘
NTTワイヤレスシステム研究所
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保坂 寛
東大
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金井 康通
NTT Telecommunications Energy Laboratories
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金尾 りんな
NTT
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板生 清
東大
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鈴木 賢司
東京工業大学
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瀬良田 卓嗣
NTT通信エネルギー研究所
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Sakai T
NTT入出力システム研究所
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三野 正人
日本電信電話株式会社研究企画部門
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荒川 正泰
(株)NTTファシリティーズ総合研究所
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大津 智
日本電信電話株式会社 通信エネルギー研究所
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星島 恵三
NTT通信エネルギー研究所
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平野 政嗣
NTT通信エネルギー研究所
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工藤 一樹
NTT通信エネルギー研究所
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牧田 昇
株式会社荏原製作所エンジニアリング事業本部
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三根 孝一
荏原バラード株式会社
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金井 康通
NTT
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金井 康通
日本電信電話(株)通信エネルギー研究所
-
酒井 達郎
日本電信電話(株)通信エネルギー研究所
-
山田 一郎
日本電信電話(株)通信エネルギー研究所
-
金井 康通
日本電信電話株式会社ntt環境エネルギー研究所
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星島 惠三
NTT通信エネルギー研究所
-
荒川 正泰
Energy And Environment Systems Laboratories Ntt Corporation
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牧田 昇
荏原製作所
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石山 俊彦
NTT通信エネルギー研究所
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鹿間 宏一
東京大学大学院新領域創成科学研究科環境学専攻
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Sakai T.
NTT入出力システム研究所
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鹿間 宏一
東大
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鈴木 賢司
東工大
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牧田 昇
(株)荏原製作所エネルギー資源再利用事業推進室
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三野 正人
日本電信電話(株)マルチメディアシステム総合研究所
-
酒井 達郎
NTT通信エネルギー研究所東京工業大学
著作論文
- 通信用燃料電池システムの研究開発 (特集 通信エネルギー技術の研究開発)
- 250kW級固体高分子形燃料電池コージェネレーションシステムのフィールドテスト(回路技術関連)
- 自己整合オフセットゲートを有する5.8GHz帯SOIパワーMOSFET
- SC-7-5 SOI RFパワーMOSFET
- 143 太陽電池動作型カード形携帯電源の動作特性(マイクロエネルギー/精密機器マイクロメカトロニクス)
- 貼り合わせSOI基板に作製したC帯(3.9〜6.2GHz)SOIパワーMOSFET
- 貼り合わせSOI基板に作製したC帯(3.9-6.2GHz)SOIパワーMOSFET
- Li^+ポリマ電池に適した非接触給電回路
- B-9-7 DC-DCコンバータを含む給電系の発振現象の数式解析
- C-2-3 貼り合わせSOI基板に作製した5GHz帯SiRFパワーMOSFET
- 1103 ソーラカードパワー用非接触給電コイルの特性
- 1102 力学的エネルギーによって駆動するカード端末用薄型発電機の発電特性
- カード型非接触給電装置用伝送コイルの特性
- 携帯端末用非接触給電回路の高出力化の検討
- 薄層SOIパワーMOSFETの高周波特性に対する寄生バイポーラ効果の影響
- 0.5μmルールで作製した薄層SOIRFパワーMOSFET
- 直流給電系の安定化に関するシミュレーション解析
- DTMOS SOIパワーMOSFETによる低電圧出力DC-DCコンバータの効率改善
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- 薄層SOIパワーMOSFETの高周波特性に対する寄生バイポーラ効果の影響
- 0.5μmルールで作製した薄層SOIRFパワーMOSFET
- DTMOS SOIパワーMOSFETによる低電圧出力DC-DCコンバータの効率改善
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により作製した薄層SOIパワーMOSFETのホットキャリア効果
- 薄層SOIパワーMOSFET
- 直流給電系の安定化に関するシミュレーション解析
- 直流給電系の安定化に関するシミュレーション解析
- SB-7-4 直流給電系の安定化に対するコンデンサ特性の影響について
- 太陽電池と電気二重層コンデンサを用いた携帯機器用電力供給回路
- 携帯用非接触ICカードリーダの検討
- B-9-8 同期整流素子新駆動法を用いた電池入力一石フォワードコンバータ
- 低出力電圧、小形・高効率バックコンバータ
- 低出力電圧、小形・高効率バックコンバータ
- SOI基板におけるリンの再分布モデル
- SOI基板におけるリンの再分布モデル
- SOI基板におけるリンの再分布モデル
- 129 非接触電力伝送用薄型伝送コイルの特性
- 123 カード端末用直線駆動薄型発電機の発電特性
- 薄層SOIパワーMOSFET
- 低電圧出力、小形・高効率DC-DCコンバータ
- 薄層SOIパワーMOSFETを主スイッチに用いたDC-DCコンバータ
- マイクロコントローラを用いた通信用信号発生回路
- プレーナトランスを用いた一石フォワード型マイクロコンバータ
- 低出力電圧高効率小形DC・DCコンバータ
- 1V出力小形・高効率DC/DCコンバータ