石山 俊彦 | Ntt
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概要
関連著者
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石山 俊彦
Ntt
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谷内 利明
東京理科大学工学部
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酒井 達郎
Ntt通信エネルギー研究所
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谷内 利明
Ntt入出力システム研究所
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松本 聡
NTT入出力システム研究所
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石山 俊彦
NTT入出力システム研究所
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酒井 達郎
NTT入出力システム研究所
-
石山 俊彦
NTT通信エネルギー研究所
-
松本 聡
NTT環境エネルギー研究所
-
平岡 靖史
NTT入出力システム研究所
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三野 正人
NTT環境エネルギー研究所
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松本 聡
NTT通信エネルギー研究所
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三野 正人
NTT Telecommunications Energy Laboratories
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村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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上綱 秀樹
NTTワイヤレスシステム研究所
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村口 正弘
NTTワイヤレスシステム研究所
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Sakai T
NTT入出力システム研究所
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谷内 利明
Ntt通信エネルギー研究所
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大脇 純一
NTT
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伊藤 昭男
富士通研究所
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金井 康通
NTT
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松本 聡
NTT 通信エネルギー研究所
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有本 由弘
富士通研
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大村 泰久
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
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Sakai T.
NTT入出力システム研究所
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有本 由弘
富士通研究所
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金井 康通
Ntt 環境エネルギー研
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小谷 泰実
関西大学大学院工学研究科ハイテクリサーチセンター
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SAKAI T.
NTT Integrated Information & Energy Systems Laboratories
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有本 由弘
(株)富士通研究所
著作論文
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET
- P1-15 超音波ワイヤレス電力伝送における伝送周波数ピークシフトの伝送電力量への影響(ポスターセッション1(概要講演))
- デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により作製した薄層SOIパワーMOSFETのホットキャリア効果
- SOI基板におけるリンの再分布モデル
- SOI基板におけるリンの再分布モデル
- 超音波トランスデューサを用いたワイヤレスエネルギー伝送システム(J21-1 メカノマイクロシステム,J21 マイクロメカトロニクス)
- 3218 携帯型電子機器への超音波によるエネルギー伝送の検討
- SOI基板における不純物分布のデバイス特性への影響
- SOI基板におけるリンの再分布モデル
- SOI基板におけるリンの再分布モデル
- デバイス反転型薄層Quasi-SOIパワーMOSFET
- 急速酸化技術による極薄シリコン酸化膜の形成機構の検討