SOI基板におけるリンの再分布モデル
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概要
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アニール後のSOI基板中のリンの分布についてモデルを作成し、実験結果と比較した。アニール後のSOI基板中では、リンは上部Si層/SiO_2膜界面にパイルアップすることを考慮してモデルを作成した。提案したモデルによるシミュレーション結果は、SOI構造中のリン分布の実験結果をよく再現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-23
著者
-
酒井 達郎
Ntt通信エネルギー研究所
-
谷内 利明
東京理科大学工学部
-
谷内 利明
Ntt入出力システム研究所
-
石山 俊彦
Ntt
-
松本 聡
NTT入出力システム研究所
-
石山 俊彦
NTT入出力システム研究所
-
酒井 達郎
NTT入出力システム研究所
-
Sakai T.
NTT入出力システム研究所
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