0.5μmルールで作製した薄層SOIRFパワーMOSFET
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概要
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0.5μmルールCMOS/SOlプロセスを用いてSOlパワーMOSFETを試作し、そのDC特性とRF特性を評価した。試作したパワーMOSFETのDC特性として、耐圧14.5V、オン抵抗は4.3mΩ・mmが得られた。またRF特性はtT=14.7GHz, fmax=19GHz, また2GHzでの電力付加効率は64%であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-23
著者
-
酒井 達郎
Ntt通信エネルギー研究所
-
平岡 靖史
NTT環境エネルギー研究所
-
松本 聡
NTT通信エネルギー研究所
-
平岡 靖史
NTT通信エネルギー研究所
-
松本 聡
NTT環境エネルギー研究所
-
酒井 達郎
NTT入出力システム研究所
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