完全空乏化型薄層SOIパワーMOSFET
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概要
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完全空乏化型薄層SOIパワーMOSFETを0.8-μm-ルールCMOS/SOIプロセスを用いて試作し、評価した結果について報告するとともに、埋め込み酸化膜厚のデバイス特性に与える影響についても報告する。試作した素子の主な特性は、耐圧32Vでオン抵抗66mΩ・mm^2であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-19
著者
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