有本 由弘 | (株)富士通研究所 基盤技術研究所

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概要

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関連著者

• 有本 由弘

  (株)富士通研究所 基盤技術研究所

• 有本 由弘

  (株)富士通研究所

• 有本 由弘

  富士通研

• 中村 亘

  富士通株式会社

• 中村 亘

  (株)富士通研究所 基盤技術研究所

• 堀江 博

  (株)富士通研究所

• 中村 亘

  富士通

• 伊藤 昭男

  富士通研究所

• 恵下 隆

  (株)富士通研究所fプロジェクト部

• 恵下 隆

  (株)富士通研究所

• 有本 由弘

  (株)富士通研空所fプロジェクト部

• 今井 雅彦

  (株)富士通研究所

• 伊藤 昭男

  (株)富士通研究所

• 山脇 秀樹

  富士通株式会社

• 山脇 秀樹

  (株)富士通研究所 基盤技術研究所

• 宮垣 真治

  (株)富士通研究所 基盤技術研究所

• 宮垣 真治

  富士通研究所

• KISHII Sadahiro

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• 岸井 貞浩

  (株)富士通研究所

• Kishii Sadahiro

  Device Integration Technology Laboratories, Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan

• 岸井 貞浩

  (株) 富士通研究所

• 佐々木 伸夫

  (株)富士通研究所

• 松本 聡

  NTT環境エネルギー研究所

• 谷内 利明

  東京理科大学工学部

• 谷内 利明

  Ntt入出力システム研究所

• 佐々木 伸夫

  (株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所

• 松本 聡

  NTT入出力システム研究所

• 有本 由弘

  (株)富士通研究所ulsiプロセス研究部

• 塚田 峰春

  (株)富士通研究所基盤技術研究所

• 塚田 峰春

  (株)富士通研究所

• 佐々木 伸夫

  富士通研究所、ulsiプロセス研究部

• 大谷 成元

  (株)富士通研究所

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著作論文

• SBTの電気的特性における下地電極の影響
• SBTの電気的特性における下地電極の影響
• デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したQuasi-SOIパワーMOSFET
• 多結晶シリコンとアルミ置換による高アスペクト比ビアプラグの形成技術
• 多結晶シリコンとアルミ置換による微細配線技術
• フィールド酸化膜ストッパ型貼り合わせSOI基板の作製とMOSFETの評価
• シリコンウェーハのはり合せ技術
• 強誘電体不揮発性メモリー
• Mn_2O_3研磨剤をもちいたSiO_2研磨
• 研磨砥粒が研磨速度と洗浄性に与える影響
• 不揮発性強誘電体メモリー(FeRAM)

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