中村 亘 | 富士通株式会社
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概要
関連著者
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中村 亘
富士通株式会社
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中村 亘
富士通
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有本 由弘
(株)富士通研究所
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中村 亘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
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有本 由弘
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
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有本 由弘
富士通研
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KISHII Sadahiro
Fujitsu Laboratories Ltd.
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岸井 貞浩
(株)富士通研究所
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Kishii Sadahiro
Device Integration Technology Laboratories, Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan
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岸井 貞浩
(株) 富士通研究所
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大見 忠弘
東北大学工学部
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恵下 隆
(株)富士通研究所fプロジェクト部
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恵下 隆
(株)富士通研究所
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中村 亘
東北大学工学部電子工学科
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牧原 康二
東北大学工学部電子工学科
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山脇 秀樹
富士通株式会社
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山脇 秀樹
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
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宮垣 真治
(株)富士通研究所 基盤技術研究所
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有本 由弘
(株)富士通研空所fプロジェクト部
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宮垣 真治
富士通研究所
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伊藤 昭男
富士通研究所
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伊藤 昭男
富士通 株式会社
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遠藤 徹
富士通株式会社
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
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川嶋 将一郎
富士通株式会社
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恵下 隆
富士通 株式会社
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森田 瑞穂
東北大学電気通信研究所
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高野 順
東北大学工学部電子工学科
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伊藤 昭男
富士通株式会社
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渡邉 純一
富士通株式会社
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堀井 義正
富士通株式会社
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恵下 隆
富士通株式会社
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堀井 義正
富士通 株式会社
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山本 和馬
東北大学電気通信研究所超微細電子回路実験施設
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松本 光市
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
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松本 光市
東北大学工学部電子工学科
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山本 和馬
東北大学工学部電子工学科
著作論文
- ウルトラクリーン酸化で形成した極薄ゲート酸化膜のホットキャリア耐性
- SBTの電気的特性における下地電極の影響
- SBTの電気的特性における下地電極の影響
- 低電圧用センスアンプによるFeRAMの開発(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 薄い酸化膜質のSiウェハ面方位依存性 : 酸化膜の電気的信頼性及び酸化膜構造に与えるウェハ面方位の依存性
- リサイクルが可能な酸化マンガン研磨剤の開発 (特集 第25回環境賞/環境技術をめぐる最近の動向) -- (第25回環境賞 優良賞)
- Mn_2O_3研磨剤をもちいたSiO_2研磨
- 研磨砥粒が研磨速度と洗浄性に与える影響