薄い酸化膜質のSiウェハ面方位依存性 : 酸化膜の電気的信頼性及び酸化膜構造に与えるウェハ面方位の依存性
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概要
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Si(100)とSi(111)の基板を用いて熱酸化膜を形成し、Si-SiO_2界面マイクロラフネスと酸化膜の信頼性を調べた。Si(111)上に形成した熱酸化膜が10nm以上の厚さになるとSi-SiO_2界面マイクロラフネスは大きく増加し、酸化膜の絶縁耐圧特性が劣化する。界面マイクロラフネスを同じレベルにしても、Si(111)上の酸化膜の信頼性はSi(100)上の酸化膜に比べて大きく劣る。Si(100)上の酸化膜とSi(111)上の酸化膜は、酸化速度や界面準位密度が違うだけでなく、結合エネルギーやエッチング速度も異なる。基板面方位は酸化膜質を決定する重要な要因である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-04-22
著者
-
大見 忠弘
東北大学工学部
-
中村 亘
富士通株式会社
-
中村 亘
東北大学工学部電子工学科
-
牧原 康二
東北大学工学部電子工学科
-
高野 順
東北大学工学部電子工学科
-
山本 和馬
東北大学電気通信研究所超微細電子回路実験施設
-
松本 光市
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
-
松本 光市
東北大学工学部電子工学科
-
山本 和馬
東北大学工学部電子工学科
-
中村 亘
富士通
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