低エネルギイオン照射を用いたシリコン薄膜形成時に生じるドーパント(As, P, Sb, B)の不活性化

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概要

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4種類のドーパント(As, P, Sb, B)対して低エネルギイオン照射(<30 eV)によるシリコン薄膜形成時の不活性化について研究を行った。キャリア濃度はイオン照射エネルギがある閾値を超えると下がり始めることがわかった。Bの場合は5eV以下、Asは18 eV、P は 13 eV、Sb は 10 eVで不活性化が起こることがわかった。これは本論文に示された原子半径差と電気的な効果を考慮した『ローカルストレスモデル』により説明される。これは実験結果と非常によく一致した。この不活性化エネルギはイオン照射エネルギに依存し、温度やイオン照射量には依存しない。よってイオン照射エネルギを精密に制御し、閾値を超えないようにエネルギ値を調整する必要がある。この知見は将来の LSIにとり大変重要である。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-07-22

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