Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
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概要
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Si(100),(110)面上にNH^*によるシリコンの直接窒化のSi_3N_4膜を有したMNSキャパシタのゲートリーク電流密度と界面準位密度を測定した。いずれの電気的特性においてもSi(110)面、(100)面上の窒化膜はほぼ同等の値を示した。一方、分解能が100meVのXPSを用いて(100),(110),(111)面におけるSi/Si_3N_4界面の構造を測定した。遷移状態である中間窒化状態の量は基板Siの面密度の逆数に比例するという結果が得られた。つまり、Siが密に詰まっている面方位であるほど遷移領域は少ない。これは、NH^*による直接窒化によってSi_3N_4側に圧縮の応力がかかるためであると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
野平 博司
Musashi Institute Of Technology
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
池永 英司
高輝度光科学研究センター
-
池永 英司
(財)高輝度光科学研究センター
-
品川 誠治
武蔵工業大学工学部
-
野平 博司
武蔵工業大学工学部
-
樋口 正顕
株式会社東芝
-
荒谷 崇
信越化学工業株式会社
-
荒谷 崇
東北大学大学院工学研究科
-
樋口 正顕
東北大学大学院工学研究科
-
濱田 龍文
東北大学大学院工学研究科
-
服部 武雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
品川 盛治
武蔵工業大学
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
-
Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
池永 英司
財団法人高照度光科学研究センター
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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